苏州银邦主营:
西门康赛米控(Semikron)公司; IGBT模块、 智能功率模块(SKiiP)、 晶闸管/二极管模块，整流桥、晶闸管/二极管分立器件、驱动电路、驱动板
英飞凌(infineon)功率模块公司: IGBT模块、 IGBT单管， 晶闸管/二极管、整流桥、驱动IC及驱动板、富士(FUJI) 功率模块
公司: IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、 驱动电路
三菱. (mitsubishi)功率模块公司: IGBT模块、PIM模块、IPM模块、驱动电路
瑞士CONCEPT公司、IGBT驱动器
德国(IXYS) 艾赛斯功率模块公司:可控硅模块、 快恢复二极管、整流桥模块、晶闸管模块
三社（SanRex）可控硅模块 二极管 快恢复二极管
巴斯曼（BUSSMANN）熔断器 西门子 罗兰熔断器

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。

  1、单、双向可控硅的判别：

  先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

  2、性能的差别：

  将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。

对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。